VS-MBRD650CTTRLPBF · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
Prodotti
JANTX1N5806 · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
VS-30CTQ035STRLPBF · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
ES1BHE3_A/I · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 920 MV @ 1 A
STPS20200CTN · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 175°C
CUS05S40 · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 30 µA @ 10 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 350 MV @ 100 MA
MBR50035CTR · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5615 · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 NA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.6 V @ 3 A
VS-15CTQ045STRLPBF · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SE20PAJHM3/I · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.05 V @ 2 A
VS-HFA08TA60CSPBF · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
D4G-T · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A
MAD1107E3/TU · Componenti elettronici
- Produttore
- Microsemi Corporation
- Tipo di montaggio
- Montaggio a foro passante
- Contenitore del produttore
- 14-DIP
IDW100E60FKSA1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 40 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2 V @ 100 A
MBR500100CT · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SBAS40LT3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 25 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA
MBR3045FCTE3/TU · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
BAV21WS-HE3-08 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA