J113 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 400 MW
Diodes et transistors
MPF4392G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
2N5462 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
MMBF4391 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
BSR56 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 250 MW
TF256TH-5-TL-H · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
MPF4392 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
J112RL1 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 150°C (TJ)
BFR30 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
TF252TH-4-TL-H · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
2N5116 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
J111RL1G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 150°C (TJ)
J112G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 150°C (TJ)
PN4091_D26Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J110RLRAG · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 135°C (TJ)
2N4391 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Type de montage
- Montage traversant
- Boîtier indiqué par le fabricant
- –-18
BSR58LT1G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 150°C (TJ)
P1086_D74Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)