5285-MMBFJ201 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
Diodes et transistors
SST4119-T1-E3 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
SST5462-T1-E3 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
2N5638 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
BSV80 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
SST4118-T1-E3 · Diodes et transistors
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- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
SST174-T1-E3 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4341 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 200°C (TJ)
2N5460_D27Z · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
MMBF5459 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
SST174-E3 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MV2N5116 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
SMMBF4391LT1G · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 225 MW
2N5458 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 135°C (TJ)
MMBF4118 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Onsemi
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 225 MW
2N4093 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
DSK5J01P0L · Diodes et transistors
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)