JANTX1N6627US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 440 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
Composants électroniques
120NQ040R-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 MA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 610 MV @ 120 A
UES1003SM-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 1 A
VS-HFA90NH40PBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.67 V @ 180 A
MC33272ADR2G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant d’alimentation
- 4.3 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 800 NA
UES1002SM-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 1 A
UES1105 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
TL062CD · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant d’alimentation
- 200 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 200 PA
UES1003SM-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 1 A
UES1001SM/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 1 A
JANS1N5811US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
JANTX1N6627US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 440 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
JANTX1N6628US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 660 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
JANTX1N6628US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 660 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
JANTXV1N6642UB/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
VS-T40HFL20S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 200 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 200 Ns
JAN1N6642UBCC · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
JAN1N5194 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.25 MA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA