M1MA152WAT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
Composants électroniques
RR268MM-600TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 980 MV @ 1 A
403CMQ100 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 830 MV @ 200 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 1.5 A
RBR2MM40ATFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 2 A
DAP222T1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
BAV99WTHE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SS14M · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1 A
PMEG3010EP · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 360 MV @ 1 A
BAV70-G3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
C4D40120D · Composants électroniques
- Fabricant
- Wolfspeed, Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 27A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
CRS03(TE85L · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 1 A
V3P6L-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 900 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 1.5 A
MMBD1504-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBR0560S1Q-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 500 MA
M50100THA1600 · Composants électroniques
- Fabricant
- Sensata-Crydom
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
RR264MM-400TFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 700 MA
BAS70WT-04-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 70mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C