BAW56-E3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
Composants électroniques
B230LA-E3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 2 A
RB715WMTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
STTH1R02ZFY · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
VS-1EFH02HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 1 A
GSD2004A-E3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
SBRT3U40P1-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 180 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 490 MV @ 3 A
BAT54C · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
SBR1A40S1-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 1 A
BAS21C-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RB715UMTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
SS14-M3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
PMEG3010ET · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 560 MV @ 1 A
RB548WMTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
BAT41 · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 1 MA
1SS184 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
SBR3U60P1Q-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 3 A
SMMBD7000LT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C