BAS70VV · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 70mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
Composants électroniques
1N5821RLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
SNRVUD620CTT4G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
STPS1H100MF · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 1 A
BAV23CLT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBR10E45P5-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 280 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 10 A
MBRD20100CT-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
VSSB7L45-M3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.6 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 430 MV @ 3.5 A
BAS70TW-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 70mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
NRVBAF440T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 435 MV @ 4 A
MUR420RLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 890 MV @ 4 A
BAT54JW-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 125°C
GP02-30-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 3000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3 V @ 1 A
BAS4005E6327HTSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 120mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
EGF1D · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
BAV99-HE3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SSA210 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 2 A
NRVTSA4100T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 660 MV @ 4 A