STTH4R02U · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 4 A
Composants électroniques
MBRF20200CTG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
MBRB20H100CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
80SQ045NRLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 8 A
MBRD1045T4G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 20 A
STPS41H100CG · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
BAT6405WH6327XTSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
SVT2060LB_R2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 20 A
VS-6CWQ06FNHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
PDS4200HQ-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 4 A
SB05W05C-TB-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 500mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
MUR440RLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.28 V @ 4 A
MBRD640CTT4G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
SL23-E3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 440 MV @ 2 A
UF5407-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 3 A
MMBD3004BRM_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBRD660CTT4G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
RBR3L40ADDTE25 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 690 MV @ 3 A