IDH10G65C6XKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 33 µA @ 420 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 10 A
Composants électroniques
1S953-TB-AZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
1N4154 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 30 MA
BAS40-04Q-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
IDW75D65D1XKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 75 A
MMBD1503A · Composants électroniques
- Fabricant
- Rectron USA
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
B340AXF-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
BAV23A-QR · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
APT75DQ120BG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.1 V @ 75 A
M1MA151WKT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
SA2J-E3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
MMBD3004CA · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
1N649-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
MMBD3004A_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RBQ30TB45BNZC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 350 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 590 MV @ 30 A
BAS7006B5003 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 70mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
B360AF-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 3 A
QSG0115UDJ-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C