SMD34HE1-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 3 A
Composants électroniques
BAW101S · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
SCS320AHGC9 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 650 V
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
1S953-T1-AZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
ES1E_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
VS-HFA16PB120-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3 V @ 16 A
BAV23AQ-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
STPSC10H12D · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 60 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 10 A
BAW56M3T5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RBE1VAM20ATR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 1 A
MMBD3004SE · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SS24SHE3_B/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1S953-T2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
APT100S20BG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 100 A
BAS70TWQ-7-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 70mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
1SS55-T4-AZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 1 MA
1SS226 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)