VS-T85HFL20S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 MA @ 200 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 500 Ns
Composants électroniques
JANS1N6642UB/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
- Capacité à Vr, F
- 5pF @ 0V, 1MHz
VS-T85HFL60S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 MA @ 600 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 500 Ns
LMH6654MAX/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 4.5 MA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
VS-T85HFL40S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 MA @ 400 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 200 Ns
TS1874AIDT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant d’alimentation
- 560 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 125 NA
VS-T85HFL20S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 MA @ 200 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 200 Ns
UES1301SM · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 925 MV @ 6 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 30 Ns
UES1302SM/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 925 MV @ 6 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 30 Ns
UES1303SM/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 925 MV @ 6 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 30 Ns
VS-150KS60 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.33 V @ 471 A
UES1301SM/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 925 MV @ 6 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 30 Ns
JANTXV1N6627US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 440 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
UES1302SME3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 925 MV @ 6 A
VS-150KSR40 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.33 V @ 471 A
VS-150KSR30 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.33 V @ 471 A
VS-150KS30 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.33 V @ 471 A