1N3619 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 30 A
Composants électroniques
1N3616R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 50 A
VS-T85HFL80S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 MA @ 800 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 500 Ns
1N2262 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 30 A
1N2256 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 30 A
1N2236A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 30 A
LMV641MF/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 158 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 90 NA
JANS1N5807US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N4500 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 300 MA
JANS1N5616/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
LMV712MMX/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 1.17 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 115 PA
1N4506 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 30 A
JANS1N5616 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
VS-T85HFL10S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 MA @ 100 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 200 Ns
JANS1N5809US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 4 A
1N4459R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 15 A
1N4507 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 30 A