MBR2X100A045 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode100ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
PCDP15120G1_T0_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr140 µA @ 1200 VTension directe maximale (Vf) à If1.7 V @ 15 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MSRT100160AD · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode100ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
CMPD2004 · Composants électroniquesFabricantCentral Semiconductor CorpCourant de fuite inverse à Vr100 NA @ 240 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 100 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.DMA240YC1600NA · Composants électroniquesFabricantIXYSCourant redressé moyen (Io) / diode240ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.IDW32G65C5BXKSA2 · Composants électroniquesFabricantInfineon TechnologiesCourant de fuite inverse à Vr200 µA @ 650 VTension directe maximale (Vf) à If1.7 V @ 16 A Demander un devis
MBR2X080A200 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode80ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
ES3GB · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 400 VTension directe maximale (Vf) à If1.13 V @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit. · Composants électroniquesFabricantWAGO CorporationCourant redressé moyen (Io) / diode6.3ATempérature de jonction en fonctionnement-25°C ~ 40°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.FFSH3065A · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant de fuite inverse à Vr200 µA @ 650 VTempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SVM845L_R1_00001 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr250 µA @ 45 VTension directe maximale (Vf) à If500 MV @ 8 A Demander un devis
VS-HFA70FA120 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode70ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
PCDH20120G1_T0_00601 · Composants électroniquesFabricantPanjit International Inc.Courant de fuite inverse à Vr180 µA @ 1200 VTension directe maximale (Vf) à If1.7 V @ 20 A Demander un devis
MBR2X080A080 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode80ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
SK835L-TP · Composants électroniquesFabricantMicro Commercial CoCourant de fuite inverse à Vr1 MA @ 35 VTension directe maximale (Vf) à If650 MV @ 8 A Demander un devis
VS-VSKC56/06 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode30ATempérature de jonction en fonctionnement-40°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.FFSH20120A-F155 · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant de fuite inverse à Vr200 µA @ 1200 VTension directe maximale (Vf) à If1.75 V @ 20 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MUR2X100A12 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode100ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 175°C Demander un devis