JANTXV1N4148UBD · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
Composants électroniques
RS1BLHR3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 800 MA
MSRT150100AD · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAT54QCZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
GSXD120A010S1-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 120A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
RB021VA90TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 900 µA @ 90 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 490 MV @ 200 MA
MBR2X100A200 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
1N4045 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 300 A
ES2CHE3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 2 A
300CNQ035 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBR2X100A120 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
NDSH50120C · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 50 A
MUR2X030A04 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1.5 A
MSRT250160A · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PCDP20120G1_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 180 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 20 A
MBR2X100A080 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
1N5822H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 525 MV @ 3 A