MBR30030CT · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Composants électroniques
RB530SM-40T2R · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 710 MV @ 100 MA
MSRTA300100AD · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
HS1KL · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
MBRT30060R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SD103BWS-HG3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 200 MA
F1827CAD1200 · Composants électroniques
- Fabricant
- Sensata-Crydom
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 25A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
SS33HE3_B/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
MURT10060 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 50A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SS5P3HM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 5 A
F1827RD600 · Composants électroniques
- Fabricant
- Sensata-Crydom
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 25A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
S1GLWH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
VSSAF512-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 5 A
MBR600150CT · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SL56BFL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 5 A
MBRT30020R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SB360-T · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 740 MV @ 3 A
MBR20030CT · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C