ES1FL · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 300 VTension directe maximale (Vf) à If1.3 V @ 1 A Demander un devis
F1892RD1000 · Composants électroniquesFabricantSensata-CrydomCourant redressé moyen (Io) / diode90A (DC)Température de jonction en fonctionnement-40°C ~ 125°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAS381-TR3 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr200 NA @ 40 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 15 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBR40020CTR · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode200ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
ES1FL · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 300 VTension directe maximale (Vf) à If1.3 V @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBRT40020 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode200ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MSRTA600100A · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode600A (DC)Température de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
HS1KAL · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr1 µA @ 800 VTension directe maximale (Vf) à If1.7 V @ 1 A Demander un devis
SK510B · Composants électroniquesFabricantTaiwan Semiconductor CorporationCourant de fuite inverse à Vr100 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If850 MV @ 5 A Demander un devis
F1827RD1400 · Composants électroniquesFabricantSensata-CrydomCourant redressé moyen (Io) / diode25A (DC)Température de jonction en fonctionnement-40°C ~ 125°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBR30045CT · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode150ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.RB501SM-30T2R · Composants électroniquesFabricantRohm SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 10 VTension directe maximale (Vf) à If350 MV @ 10 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.SBR8E60P5-7D · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant de fuite inverse à Vr580 µA @ 60 VTension directe maximale (Vf) à If530 MV @ 8 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MSRTA30080AD · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode300ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MBRT300200R · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode150ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
RS3D-E3/9AT · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If1.3 V @ 2.5 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.MURT40010R · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode200ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit. · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr1 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If1.15 V @ 1.5 A Demander un devis