RB531VM-30TE-17 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 45 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 490 MV @ 100 MA
Composants électroniques
PMEG3005EB · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 500 MA
SBLB1640CT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
SBR160S23-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 750 MA
UGB10CCTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
MBR0530T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 130 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 430 MV @ 500 MA
MBRB20H100CTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
SBR1U200P1-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 820 MV @ 1 A
UGB8HCTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBRB30H50CT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
SL03-GS08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 130 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 430 MV @ 1.1 A
BAS16WS-HE3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA
MBRB2045CTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
1PS10SB82 · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 1 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 30 MA
UB16DCT-E3/8W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
ES07B-GS08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 980 MV @ 1 A
UGB18CCT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 18A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
CMDSH05-4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 500 MA