SS2PH10-M3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 2 A
Composants électroniques
MBRA130LT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 410 MV @ 1 A
UGB8JCT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SL13-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 445 MV @ 1 A
UGB10BCTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
V2FL45HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 570 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 560 MV @ 2 A
MBRB3045CTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SS1H10-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 1 A
SS8P6CHM3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBRT3U45SAF-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 480 MV @ 3 A
MBRB25H60CT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
RBR3MM40ATFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 80 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 3 A
UB16BCT-E3/8W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
US1GHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
UGB18CCTHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 18A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
BAT30KFILM · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 300 MA
SS8P3CHM3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS385-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.3 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA