VSSC8L45-M3/9AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.85 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 420 MV @ 4 A
Composants électroniques
UGB10DCTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
IDH20G65C6XKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 67 µA @ 420 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 20 A
SBLB2040CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS21GWJ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
UG10FCTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
RS3J-13-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
UGB10BCTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
IDH12SG60CXKSA2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.1 V @ 12 A
U30BCT-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-SD3000C10K · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 75 MA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.22 V @ 6000 A
SBLB1640CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
AS3BJ-M3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 3 A
UB20CCT-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N5806US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 1 A
UG8HCTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
APTDF450U60G · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 MA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 500 A
U16DCT-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C