MCL101C-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 15 MA
Composants électroniques
UGB10FCT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
1N914TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 10 MA
UG10GCTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
CMSH1-200HE · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 1 A
UGF8JCTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
U10BCT-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MSE07PGHM3/89A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.08 V @ 700 MA
UGB10CCT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
1N6864US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 3 A
UG10DCTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
STTH3R02QRL · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 3 A
UGF18DCTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 18A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
NRVA4003T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
SBLF25L20CTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 12.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
406DMQ200 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 990 MV @ 200 A
RB058LAM-40TFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 690 MV @ 3 A
UG8JCT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C