S1B-M3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
Composants électroniques
2V85-BAV23S · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
S4D40120H · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 40 A
M20H90CTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
S3KB-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 3 A
NRVTSB40200CTT4G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS40WQ-13-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 40 MA
MBR4015CTLH · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
BR28_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 2 A
DD260N18KHPSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 260A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
FFSH20120A · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 20 A
MBRF2060CTG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
RB461FMT106 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 490 MV @ 700 MA
· Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
C4D08120A · Composants électroniques
- Fabricant
- Wolfspeed, Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 7.5 A
BAS21W · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 100 MA
DD260N12KAHPSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 260A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C
AS1FJ-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A