ERT1AAFC_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
Composants électroniques
VBT3045CHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
FS1JFL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
NTST30U100CTG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
VS-T85HFL100S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 MA @ 1000 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 500 Ns
VB60100CHE3/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
MER1DMB_R2_00601 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
BAV99FT116 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 215mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
VS-T40HFL100S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 500 Ns
VB20100CHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
US1GFL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1 A
MBRP3045NTU · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
S1K-M3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
VB20M120CHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
IDWD40G120C5XKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 332 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.65 V @ 40 A
SDMP0340LCT-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Boîtier
- Bande coupée (CT)
STPST1H100AF · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.7 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 725 MV @ 1 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)