S2GA · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1.5 A
Composants électroniques
S5D-E3/57T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 5 A
PMEG100T080ELPE-QZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 8 A
GP15G-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1.5 A
TSSE3H45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 570 MV @ 3 A
MAX921CSA+T · Composants électroniques
- Fabricant
- Maxim Integrated
- Courant d’alimentation
- 3.2 UA
- Température minimale de fonctionnement
- 0 C
UG1BPL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
CMMR1-10 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
NRVB440MFSWFT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 800 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 4 A
RS1JDF-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
RL257GPL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2.5 A
V8P15-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.08 V @ 8 A
SDM1L30CSP-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 400 MV @ 1 A
V8PM63-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 640 MV @ 8 A
1PS76SB21-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 200 MA
TS881ILT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type
- Usage général
- Tension d’alimentation simple/double (±)
- 0.85 V ~ 5.5 V
PMEG100T050ELPEZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 5 A
SRT16H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 1 A