RS1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
Composants électroniques
PU4DCH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 4 A
GP15M-E3/73 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1.5 A
V8P45-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 600 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 8 A
V3FM15-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 85 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.24 V @ 3 A
DFLS230LQ-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 420 MV @ 2 A
VS-30WQ04FNTRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 3 A
B130-M3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 1 A
BYV26EGP-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 1 A
B120-M3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 1 A
BYV16-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 1 A
AS1PM-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
SE40PJHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 4 A
S1BHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
AS1PD-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
S8M_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 985 MV @ 8 A
BAV3004WQ-7-F-52 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 240 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
RB050LAM-40TFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 3 A