SR515 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 5 A
Composants électroniques
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.5 A
JANTXV1N1204AR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 38 A
NSVRB521S30T5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 200 MA
UG3AB-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 3 A
JANTX1N4500 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 300 MA
SK36HE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 3 A
LL101A-GS18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
SIC20120PTA-BP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 10 A
ES1D-E3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 1 A
UG3BB-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 3 A
JANTXV1N6640US · Composants électroniques
- Fabricant
- MACOM Technology Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 90 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
SK38HE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 3 A
CBS05F30 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 30 V
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
VS-C40CP07L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 20 A
MURS4J-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.28 V @ 4 A
LM339APW · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 500 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 50 NA
VS-1EQH02-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 1 A