BAV16W_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 855 MV @ 10 MA
Composants électroniques
S4PGHM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 4 A
SF1JWF-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
1N4148WS_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.5 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA
MURS1JAL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1 A
MCP6544-E/SL · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
S4PBHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 4 A
SS36BQ · Composants électroniques
- Fabricant
- Yangjie Technology
- Boîtier
- Bande et bobine (TR)
FR307 · Composants électroniques
- Fabricant
- Yangjie Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
BAS285-GS18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2.3 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
S5BHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 5 A
S310 · Composants électroniques
- Fabricant
- Yangjie Technology
- Boîtier
- Bande et bobine (TR)
PMEG10010ELR-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 1 A
SB10200 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 10 A
BAV20 · Composants électroniques
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
BAT43W-G3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 15 MA
SS14L · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1 A
R5021210RSZT · Composants électroniques
- Fabricant
- Powerex Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 45 MA @ 1200 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C