1N3671AR · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 12 A
Composants électroniques
1N5614/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
JAN1N3611/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
APT30D40SG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 30 A
JANTXV1N4150UR-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
S4D20120G · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 20 A
APT60D40SG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 60 A
1N4371/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 75 µA @ 1 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 200 MA
1N649/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
JANHCA1N4150 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
DSEP29-06B · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.52 V @ 30 A
1N649UR-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
S12D · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 12 A
1N1204AR · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 12 A
1N485/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 180 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
1N482B · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
1N1204A · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 12 A
1N1199A · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 12 A