VS-40EPF10-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 40 A
Composants électroniques
APT75DQ120SG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.3 V @ 75 A
VS-12FL10S02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 12 A
1N6677-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 200 MA
1N486B/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 NA @ 225 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
SICRD101200 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 10 A
JAN1N5616 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
1N1200AR · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 12 A
FFH60UP60S3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 60 A
MCP6002-I/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant d’alimentation
- 100 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
1N5618/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
1N4248/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
JANTXV1N4454UR-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 10 MA
VS-1N3624 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 900 µA @ 700 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 12 A
1N1202A · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 12 A
UF27520070A1.T1 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 60 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 90 A
APT60DQ120SG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.3 V @ 60 A
JAN1N3613 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A