PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
BUK7K6R8-40E,115
BUK7K6R8-40E,115 · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- BUK7K6R8-40E,115
- Tension drain-source (Vdss):
- 40V
- Courant de drain continu (Id):
- 40A
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Courant de drain continu (Id) | 40A |
| Puissance dissipée (Pd) | 64W |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 4V |
| Capacité d’entrée (Ciss) | 1.46nF |
| Type | Canal N |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 4
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Model | BUK7K6R8-40E,115 |
|---|---|
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 9.1nC@20V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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A dual-channel standard-level N-channel MOSFET utilising TrenchMOS technology, packaged in LFPAK56D (dual Power-SO8). This product has been designed and certified to AEC Q101 standards, making it suitable for high-performance automotive applications.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
