PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
BSS138BK,215
BSS138BK,215 · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- BSS138BK,215
- Référence:
- BSS138BK,215
- Tension drain-source (Vdss):
- 60V
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Référence | BSS138BK,215 |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 360mA |
| Résistance à l’état passant (RDS(on)) | 1.6Ω@10V |
| Puissance dissipée (Pd) | 350mW |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1.6V |
| Capacité d’entrée (Ciss) | 56pF |
| Température de fonctionnement | -55℃ – +150℃ |
| Type | Canal N |
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Champs d’origine · anglais · 2
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) | 700pC@4.5V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
Voir l’original anglais
An N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 (TO-236AB) surface-mount device (SMD) plastic package.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
