PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
BAV99-QR
BAV99-QR · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- BAV99-QR
- Référence:
- BAV99-QR
- Puissance dissipée (Pd):
- 250mW
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Référence | BAV99-QR |
| Puissance dissipée (Pd) | 250mW |
| Courant inverse (Ir) | 500nA |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 4ns |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 4A |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 3
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Catalogue | Switching Diodes |
|---|---|
| Forward Voltage Drop (Vf) | 1.25V |
| DC Reverse Voltage Rating (Vr) | 100V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
