PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
BAS21J,115
BAS21J,115 · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- BAS21J,115
- Courant inverse (Ir):
- 150nA@250V
- Temps de recouvrement inverse (trr):
- 50ns
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Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant inverse (Ir) | 150nA@250V |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 50ns |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 3A |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 6
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Model | BAS21J,115 |
|---|---|
| Product Catalogue | Switching Diodes |
| Diode Configuration | Discrete |
| Forward Voltage Drop (Vf) | 1.1V@100mA |
| DC Reverse Voltage Rating (Vr) | 300V |
| Rectification Current | 250mA |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
Voir l’original anglais
A single high-speed switching diode housed in an SOD323F (SC-90) surface-mount device (SMD) plastic package featuring exceptionally compact and low-profile leads. Application Areas High-speed switching Voltage clamping General-purpose switching Reverse polarity protection controllers
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
