PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
PESD1LIN,115
PESD1LIN,115 · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- PESD1LIN,115
- Référence:
- PESD1LIN,115
- Tension d’écrêtage:
- 44V
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Référence | PESD1LIN,115 |
| Tension d’écrêtage | 44V |
| Courant impulsionnel de crête (Ipp) | 3A@8/20μs |
| Tension de claquage | 18.9V |
| Courant inverse (Ir) | 1nA |
| Type | ESD |
| Capacité de jonction (Cj) | 13pF |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 5
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Catalogue | Electrostatic And Surge Protection (TVS/ESD) |
|---|---|
| Polarity | Bidirectional |
| Reverse Withstand Voltage (Vrwm) | 15V |
| Number Of Channels | Single |
| Operating Temperature | -65℃ To +150℃ @ (Ta) |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
Voir l’original anglais
The PESD1LIN utilises an ultra-compact SOD323 (SC-76) surface-mount device (SMD) plastic package, designed to safeguard a single automotive Local Interconnect Network (LIN) bus line against damage from electrostatic discharge (ESD) and other transient phenomena.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
