PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
PDTC114ET,215
PDTC114ET,215 · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- PDTC114ET,215
- Référence:
- PDTC114ET,215
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Vceo):
- 50V
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Référence | PDTC114ET,215 |
| Tension de claquage collecteur-émetteur (Vceo) | 50V |
| Courant de collecteur (Ic) | 100mA |
| Puissance dissipée (Pd) | 250mW |
| Type de transistor | NPN |
| Gain en courant continu (hFE) | 30 |
| Température de fonctionnement | -65℃ – +150℃ |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) | 100mV |
| Fréquence de transition (fT) | 230MHz |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 6
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Catalogue | Digital Transistors |
|---|---|
| Minimum Input Voltage (VI(on)) | 1.8V |
| Maximum Input Voltage (VI(off)) | 1.1V |
| Input Resistance | 13kΩ |
| Resistance Ratio | 1 |
| Collector Bias Current (Icbo) | 100nA |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
Voir l’original anglais
NPN resistor-equipped transistor (RET) in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package. PNP complementary counterpart: PDTA114ET
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
