PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
NX7002BKR
NX7002BKR · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- NX7002BKR
- Référence:
- NX7002BKR
- Tension drain-source (Vdss):
- 60V
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Référence | NX7002BKR |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 270mA |
| Résistance à l’état passant (RDS(on)) | 2.8Ω@10V |
| Puissance dissipée (Pd) | 310mW |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.1V |
| Capacité d’entrée (Ciss) | 23.6pF |
| Température de fonctionnement | -55℃ – +150℃ |
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Champs d’origine · anglais · 2
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) | 1nC@10V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
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- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
