PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
BZX384-B18-QX
BZX384-B18-QX · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- BZX384-B18-QX
- Courant inverse (Ir):
- 50nA@12.6V
- Puissance dissipée (Pd):
- 300mW
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant inverse (Ir) | 50nA@12.6V |
| Puissance dissipée (Pd) | 300mW |
| Précision | ±2% |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 6
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Model | BZX384-B18-QX |
|---|---|
| Product Catalogue | Zener Diode |
| Diode Configuration | 1 Discrete |
| Voltage Regulation Range | 17.6V To 18.4V |
| Impedance (Zzt) | 200Ω |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃ To +150℃ |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
