PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
BUK9Y15-60E,115
BUK9Y15-60E,115 · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- BUK9Y15-60E,115
- Tension drain-source (Vdss):
- 60V
- Courant de drain continu (Id):
- 53A
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 53A |
| Puissance dissipée (Pd) | 32W |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.1V |
| Capacité d’entrée (Ciss) | 137pF |
| Température de fonctionnement | -55°C – +175°C |
| Type | Canal N |
| Capacité de sortie (Coss) | 74 PF |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 4
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Model | BUK9Y15-60E,115 |
|---|---|
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 49mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17.2nC@5V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
Voir l’original anglais
Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
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- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
