PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
BSS138P, 215
BSS138P, 215 · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- BSS138P, 215
- Tension drain-source (Vdss):
- 60V
- Courant de drain continu (Id):
- 360mA
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 360mA |
| Résistance à l’état passant (RDS(on)) | 1.6Ω@10V |
| Puissance dissipée (Pd) | 350mW; 1.14W |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1.5V |
| Capacité d’entrée (Ciss) | 50 PF |
| Température de fonctionnement | -55°C – +150°C |
Aucun paramètre correspondant
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Champs d’origine · anglais · 3
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Model | BSS138P, 215 |
|---|---|
| Product Catalogue | Field Effect Transistors (MOSFET) |
| Gate Charge (Qg) | 800pC@4.5V |
Description
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
