PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
BC857B-QR
BC857B-QR · Diodes et transistors
Informations produit
- Référence:
- BC857B-QR
- Type de transistor:
- PNP
- Courant de collecteur (Ic):
- 100mA
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Demander un devisCaractéristiques techniques
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Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de transistor | PNP |
| Courant de collecteur (Ic) | 100mA |
| Tension de claquage collecteur-émetteur (Vceo) | 65V |
| Puissance dissipée (Pd) | 250mW |
| Gain en courant continu (hFE) | 125 |
| Fréquence de transition (fT) | 100MHz |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) | 250mV |
| Température de fonctionnement | -65℃ – +150℃ |
| Tension de claquage émetteur-base (Vebo) | 5V |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 3
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Product Model | BC857B-QR |
|---|---|
| Product Catalogue | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Collector-Base Offset Current (Icbo) | 15nA |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
