PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
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| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Transistors Transistors JFET |
| Série | LS5911 |
| Fabricant | Linear Integrated Systems, Inc. |
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Puissance maximale | 500 MW |
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | SOT-23-6 |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7 MA @ 10 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 1 V @ 1 MA |
| Current Drain (Id) - Max | 50 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 25 V |
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.