PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
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| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Transistors Transistors JFET |
| Série | LSK170A |
| Fabricant | Linear Integrated Systems, Inc. |
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de FET | Canal N |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Puissance maximale | 400 MW |
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage traversant |
| Boîtier indiqué par le fabricant | –-92 |
| Boîtier | Vrac |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2.6 MA @ 10 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 200 MV @ 1 NA |
| Current Drain (Id) - Max | 10 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 15V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 40 V |
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.