PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
2N4091UB/TR
2N4091UB/TR · Diodes et transistors
Informations produit
- Fabricant:
- Microchip Technology
- Référence:
- 2N4091UB/TR
- Type de FET:
- Canal N
- Puissance maximale:
- 360 MW
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Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets Transistors Transistors JFET |
| Fabricant | Microchip Technology |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de FET | Canal N |
| Puissance maximale | 360 MW |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | 3-UB (3.09x2.45) |
| Boîtier | Bande et bobine (TR) |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 5
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 30 MA @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 20V |
| Resistance - RDS(On) | 30 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
