PMEG4010EH,115 · Diodes et transistors
- Référence
- PMEG4010EH,115
- Courant inverse (Ir)
- 100uA@40V
Produits
IRF5210PBF
IRF5210PBF · Diodes et transistors
Informations produit
- Fabricant:
- Manufacturer
- Référence:
- IRF5210PBF
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| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Référence | IRF5210PBF |
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Description
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Manufacturer:StandardPackaging:TubeProduct Category:MOSFETBrand:standardRoHS: DetailsConfiguration:SingleTechnology:SiFall Time:77 nsMounting Style:Through HoleHeight:16.3 mmPackage / Case:TO-220-3Length:10.67 mmTransistor Polarity:N-ChannelProduct Type:MOSFETNumber of Channels:1 ChannelRise Time:69 nsVds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 VFactory Pack Quantity:50Id - Continuous Drain Current:9.5 ASubcategory:MOSFETsRds On - Drain-Source Resistance:730 mOhmsTransistor Type:1 N-ChannelVgs - Gate-Source Voltage:- 30 V, + 30 VType:MOSFETMinimum Operating Temperature:- 55 CTypical Turn-Off Delay Time:144 nsMaximum Operating Temperature:+ 150 CTypical Turn-On Delay Time:23 nsPd - Power Dissipation:156 WWidth:4.7 mmChannel Mode:EnhancementPart # Aliases:IRF5210PBF_NLSeries:IRF5210PBFUnit Weight:0.068784 oz
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PMV100EPAR · Diodes et transistors
- Référence
- PMV100EPAR
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
