FESB16AT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 16 A
Produits
LMP7711MK/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 11.5 V/µs
VS-ETU0805-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 9 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 8 A
MCP6V02-E/MD · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant d’alimentation
- 300 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
VS-HFA04SD60SR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 4 A
LMV841MG/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 2.5 V/µs
FESB16BT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 16 A
VB30120SG-E3/8W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.28 V @ 30 A
MCP6N11T-100E/MNY · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Vitesse de balayage
- 6 V/µs
- Tension de décalage d’entrée
- 350µV
FESF8FTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 8 A
MBRD330T4G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 3 A
TLC2254AIPWR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.12 V/µs
1N4151 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 50 MA
VF30120SG-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.28 V @ 30 A
MCP6L94T-E/SL · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 7 V/µs
VS-MBRB1035HM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 20 A
VS-HFA04SD60SL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 4 A
MCP6044T-I/ST · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.003 V/µs