SR1504 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 15 A
Produits
LMV831MGE/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 2 V/µs
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 6 A
FESF8JTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 8 A
TLC277CDR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 5.3 V/µs
FESF8BTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A
FESF8HTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 8 A
OPA2322AIDR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 10 V/µs
FESB16FT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 16 A
FESF8CTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A
OPA172IDBVT · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 10 V/µs
FESF8DTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 8 A
BYWB29-100HE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 20 A
AD8061ARTZ-REEL7 · Composants électroniques
- Fabricant
- ADI / Analog Devices Inc.
- Type d’amplificateur
- Contre-réaction en tension
- Vitesse de balayage
- 650 V/µs
MBR16150 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 16 A
FESB16CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 16 A
ADA4891-2ARZ-R7 · Composants électroniques
- Fabricant
- ADI / Analog Devices Inc.
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 210 V/µs
BYWB29-150HE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 20 A