D16-4148E3/TU · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
Produits
BAV103 · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
VS-25CTQ045STRLPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
APT60D120BG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 60 A
FST8360M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 80A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RGP10ME-E3/73 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
MAD1105E3/TU · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Type de montage
- Montage traversant
- Boîtier indiqué par le fabricant
- 14-DIP
PU1JLS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 1 A
MURT40060R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STTH3006W · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.85 V @ 30 A
VS-HFA08TB120STRLP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.3 V @ 8 A
1N4936RLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
FST8340M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 80A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
IDW40E65D2FKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.3 V @ 40 A
NXPS20S100CX · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
1N4934RLG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
MURT30005R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PU1JFS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 1 A