VS-MBRD650CTTRLPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
Produits
JANTX1N5806 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 1 A
VS-30CTQ035STRLPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
ES1BHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 1 A
STPS20200CTN · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
CUS05S40 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 350 MV @ 100 MA
MBR50035CTR · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N5615 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
VS-15CTQ045STRLPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SE20PAJHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 2 A
VS-HFA08TA60CSPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
D4G-T · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
MAD1107E3/TU · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Type de montage
- Montage traversant
- Boîtier indiqué par le fabricant
- 14-DIP
IDW100E60FKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 100 A
MBR500100CT · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBAS40LT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 40 MA
MBR3045FCTE3/TU · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
BAV21WS-HE3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA