MBRF400100R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Produits
RB068MM100TFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 870 MV @ 2 A
UH4PDCHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 2A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
NTE5894 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 12 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.23 V @ 50 A
FST73100M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 35A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
V30100S-M3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 350 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 30 A
MBRF30060R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N3595AUS/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 NA @ 125 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 100 MA
FST7360M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 35A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS170WE6327HTSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
FST6340M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
CD1408-FF11000 · Composants électroniques
- Fabricant
- Bourns Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
NTE6051 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 20 MA
MBRT60040L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STPS30SM120SFP · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 275 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 30 A
FST6315M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-E5TX3006-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.1 V @ 30 A
MBRF30040R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C