MBRF60020R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
Produits
MBRF200100 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RBR3MM40ATR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 80 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 3 A
MBRF20080 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BYC30WT-600PQ · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.75 V @ 30 A
MBRF12040 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
APT40DQ120BG · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.3 V @ 40 A
MBRF50045R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
S2B-E3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
MBRF20045 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
FFSP4065BDN-F085 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 20 A
MBR10100CTF-E1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
VS-30ETU12-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 145 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.68 V @ 30 A
MBRF12030 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SS25FA · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 2 A
MBRF40080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
DSC10120 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 640 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 10 A
MBRB20H35CT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C