UES1305E3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
Produits
LM2904DT · Composants électroniques
- Fabricant
- ROHM Semiconductor
- Courant d’alimentation
- 1.2 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 250 NA
UES1304/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
JANTXV1N5711UR-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 410 MV @ 1 MA
1N6702US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 5 A
VS-150KR10A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.33 V @ 471 A
VS-150K10A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.33 V @ 471 A
VS-T70HF120 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 200 V
- Technologie
- Standard
VS-T70HF80 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 800 V
- Technologie
- Standard
VS-T70HF60 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 600 V
- Technologie
- Standard
VS-T70HFL10S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 500 Ns
MIL-PRF-19500/578 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
FR85JR02 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 85 A
VS-T70HF20 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 200 V
- Technologie
- Standard
MIL-PRF-19500/578 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
249NQ135-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 6 MA @ 135 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.07 V @ 240 A
245NQ015R-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 80 MA @ 15 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 400 MV @ 240 A
JAN1N6642UB2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA